NSD2123-DLAR

Полумостовой 110-В драйвер GaN HEMT со встроенным бутстрепным ограничителем и стабилизацией затвора 5 В в корпусе 2×2 мм

Novosense NSD2123-DLAR — высокочастотный полумостовой драйвер нитрид-галлиевых транзисторов (e-mode GaN HEMT) с рабочим напряжением до 110 В, встроенным стабилизатором затвора 5 В, активной схемой защиты бутстрепного конденсатора от перезаряда в мёртвое время и задержкой распространения 18 нс в миниатюрном корпусе LGA (2×2 мм).

Наличие0 шт.

MOQ20 шт.

Срок поставки4–6 нед.

Запросить цену

Проверка подлинности Документы по запросу

Технические характеристики

Партномер (MPN)

NSD2123-DLAR

Производитель

Novosense

Категория

Драйверы

Корпус

LGA (2×2 мм)

Статус жизненного цикла

Серийное производство

Подкатегория

Неизолированные драйверы затворов / Драйверы GaN-транзисторов

Класс качества

Промышленный класс

Статус поставки

Поставляется

Напряжение питания

до 110 В (HS)

Рабочая температура

−40…+125 °C

MSL

MSL3

Интерфейс

PWM

RoHS

Соответствует

Автомобильная квалификация

Подтвердим по запросу

Особенности

Выдерживаемое напряжение узла переключения HS до 110 В для шин 48 В (серверные IBC и приводы суставов роботов)
Встроенная схема активного ограничения напряжения бутстрепного питания (Bootstrap Clamping), исключающая перезаряд Cboot в режиме обратной проводимости GaN
Раздельные выходы Source/Sink со стабилизацией амплитуды импульса затвора 5,0 В, задержка распространения 18 нс
Ультракомпактный корпус LGA 2×2 мм / WLCSP