Active

Novosense

NSD2012N-DQAFR

Высоковольтный полумостовой GaN-драйвер с интегрированным отключением по отрицательному напряжению

Низкосторонний драйвер для E-mode GaN: 2 А/−4 А, малые задержки; встроенный регулятор формирует регулируемое положительное (5–6.5 В) и отрицательное (−0.5…−2.5 В) напряжение затвора — внешняя цепь отрицательного…

Наличие0 шт.
MOQ1 шт.
Срок поставкиПо запросу
Ориентировочная ценаЦена по запросу
Проверка подлинности Документы по запросу
TECHNICAL DATA

Технические характеристики

Manufacturer Part Number
NSD2012N-DQAFR
Manufacturer
Novosense
Категория
Драйверы
Корпус
QFN12 3*3
Статус жизненного цикла
Доступны образцы (ES)
Подкатегория
Драйверы GaN / Драйверы GaN
Класс качества
Промышленный класс
Статус поставки
Поставляется
Напряжение питания
—
Рабочая температура
−40…+125 °C
Интерфейс
—
RoHS
Подтвердим по запросу
Automotive grade
Подтвердим по запросу

Особенности

  • Пиковый ток драйвера 2 А/4 А
  • Регулируемое выходное напряжение 5 В~6,5 В
  • Регулируемое отрицательное выходное напряжение -0,5 В~-2,5 В
  • Встроенный фиксированный LDO-выход 5 В для питания цифрового изолятора
  • Минимальная ширина входного импульса, тип. 5 нс
  • Задержка передачи вход-выход, тип. 23 нс
  • Искажение ширины импульса, тип. 5 нс
  • Время нарастания, тип. 6,5 нс (нагрузка 1 нФ)
  • Время спада, тип. 6,5 нс (нагрузка 1 нФ)
  • Защита от пониженного напряжения, тепловая защита
  • Диапазон рабочих температур: -40℃~125℃

Применение

  • GaN-полумосты серверных БП
  • телеком-преобразователи
  • высокочастотные DC-DC
ALTERNATIVES & RELATED

Альтернативы и похожие позиции

Смотреть категорию →