Компания Novosense официально выпустила серию автомобильных изолированных двухканальных (полумостовых) драйверов затворов NSI6602MxEx, созданную на базе проверенной платформы NSI6602 и дополненную встроенным активным клампом Миллера на 5 А. Микросхемы сочетают усиленную изоляцию 5700 Вrms, малую задержку распространения, программируемое мёртвое время и выбираемые пороги защиты от пониженного напряжения (UVLO), обеспечивая надёжное управление высоковольтными транзисторами SiC MOSFET и IGBT в бортовых зарядных устройствах (OBC), преобразователях DC-DC и активных подвесках электромобилей.
При высокоскоростной коммутации полумостовых каскадов на базе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN) высокая скорость нарастания напряжения dv/dt на средней точке моста вызывает протекание ёмкостного тока через проходную ёмкость Миллера (Cgd) закрытого транзистора. Поскольку пороговое напряжение включения (Vgsth) и допустимое отрицательное напряжение на затворе у SiC-транзисторов невелики, наведённый выброс напряжения (Vswing) может привести к паразитному сквозному открыванию плеча моста или пробою подзатворного диэлектрика. Встроенная в каждый канал NSI6602MxEx схема активного клампа Миллера с пиковым током шунтирования до 5 А создаёт путь минимального импеданса между затвором и истоком, удерживая напряжение на затворе в безопасных пределах даже без применения двуполярного источника отрицательного смещения для широкого ряда SiC-транзисторов.
Драйверы серии NSI6602MxEx обеспечивают пиковый втекающий и вытекающий ток до ±10 А с выходом Rail-to-Rail, что позволяет напрямую управлять мощными модулями с большим зарядом затвора (Qg) или параллельно включёнными ключами без внешних транзисторных буферов. Напряжение питания входной стороны составляет от 3 В до 18 В, а выходной драйверной стороны — до 32 В (абсолютный максимум 35 В), что гарантирует высокий запас устойчивости к электрическим перегрузкам (EOS).
Через вывод DT с помощью одного внешнего резистора гибко настраивается длительность мёртвого времени (Dead Time), либо при подключении вывода DT к шине VCC оба канала переводятся в режим независимого параллельного управления. Серия NSI6602MxEx предлагает три варианта порога блокировки при пониженном напряжении питания вторичной стороны (UVLO 8 В, 12 В и 17 В), прямую или инверсную логику разрешения (EN/DIS), обладает стойкостью к синфазным помехам CMTI 150 кВ/мкс при типовой задержке распространения 80 нс, квалифицирована по стандарту AEC-Q100 для работы при температурах от −40 до +125 °C и выпускается в корпусе SOW18 с путём утечки более 8 мм.
Источник: Novosense · официальный портал Novosense
